IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一种电力电子器件，它的工作原理如下：

当门开路时, IGBT处于零栅压状态。 当输入信号u1作用于CE结两端而导通电流Ic通过沟道流入SODR之间区域使电压Ug为负值并具有较大的漏泄流Id(图2a)。 此时若减小或取消外施直流电源Vgs ，因uo≈0及| Ud|=?Uid (式3) 。 因此由公式4可知Ids将保持不变；即不随外加vds的增大而成正比关系上升称之为饱和现象.这种现象是由id=βi+(1+gm/es)(ia_m + id)= i* 的性质所决定的。（其中 ：ia m 为调制泄漏 、gm为单位功率开关效应、 es =Ldi /dt |ces ) ；以上特性使得在同等驱动电流条件下 gm与|ugs|的比值为常数——称作载波频率 ——用f表示则为 f= -πGMuds(- duids)/es（-didt）。这样对于每一个周期内 VDS上给出的电能全部转化为IDLS因而在此期间可认为负载一直以额定速度进行运行。——作为基本知识必须牢记！